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dc.contributor.author顏天淵en_US
dc.contributor.authorTyan-Ywan Yenen_US
dc.contributor.author周長彬en_US
dc.contributor.authorChang-Pin Chouen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:14:01Z-
dc.date.available2014-12-12T02:14:01Z-
dc.date.issued1994en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT830489005en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/59486-
dc.description.abstract由於利用電弧放電之高能量來進行化學氣相沉積鑽石,能夠得到極高之成 長速率,具有實際應用上之價值。因此本論文探討了電弧電漿噴槍之設計 要點,製造了三種不同型式之電弧電漿化學氣相沉積反應器。由實驗結果 顯示,以自由電弧放電與器壁穩定化電弧電漿射流二種設計方式來沉積鑽 石膜時會有一些缺點。本論文因此進一步開發了適合工業化生產之磁場旋 轉式電弧電漿射流以解決傳統設計上之缺點。目前利用磁場旋轉式電弧電 漿射流可沉積高品質之鑽石膜,其沉積速率可達每小時180μm,沉積面 積為 250 m㎡ 。本研究亦利用自行開發之磁場旋轉式電弧電漿射流,直 接以石墨陽極噴嘴作為碳源而成功的合成氮化碳 (β-C3N4)薄膜。根據理 論上預測此材料將擁有與鑽石相當之體模數。穿透式電子顯微鏡分析證實 薄膜中含有大量微晶氮化碳。文中提出以虎克定律近似法理論計算氮化碳 之特徵拉曼譜線,結果與實驗量得之拉曼譜線甚為符合。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject電弧電漿噴流,化學氣相沉積,薄膜成長zh_TW
dc.subjectarc plasma jet, chemical vapor depositionen_US
dc.title利用電弧電漿射流化學氣相沉積法合成鑽石及氮化碳膜zh_TW
dc.titleSYNTHESIS OF DIAMOND AND CARBON NITRIDE FILMS BY ARC-PLASMA JET CHEMICAL VAPOR DEPOSITIIONen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department機械工程學系zh_TW
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