完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 顏天淵 | en_US |
dc.contributor.author | Tyan-Ywan Yen | en_US |
dc.contributor.author | 周長彬 | en_US |
dc.contributor.author | Chang-Pin Chou | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:14:01Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:14:01Z | - |
dc.date.issued | 1994 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT830489005 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/59486 | - |
dc.description.abstract | 由於利用電弧放電之高能量來進行化學氣相沉積鑽石,能夠得到極高之成 長速率,具有實際應用上之價值。因此本論文探討了電弧電漿噴槍之設計 要點,製造了三種不同型式之電弧電漿化學氣相沉積反應器。由實驗結果 顯示,以自由電弧放電與器壁穩定化電弧電漿射流二種設計方式來沉積鑽 石膜時會有一些缺點。本論文因此進一步開發了適合工業化生產之磁場旋 轉式電弧電漿射流以解決傳統設計上之缺點。目前利用磁場旋轉式電弧電 漿射流可沉積高品質之鑽石膜,其沉積速率可達每小時180μm,沉積面 積為 250 m㎡ 。本研究亦利用自行開發之磁場旋轉式電弧電漿射流,直 接以石墨陽極噴嘴作為碳源而成功的合成氮化碳 (β-C3N4)薄膜。根據理 論上預測此材料將擁有與鑽石相當之體模數。穿透式電子顯微鏡分析證實 薄膜中含有大量微晶氮化碳。文中提出以虎克定律近似法理論計算氮化碳 之特徵拉曼譜線,結果與實驗量得之拉曼譜線甚為符合。 | zh_TW |
dc.language.iso | en_US | en_US |
dc.subject | 電弧電漿噴流,化學氣相沉積,薄膜成長 | zh_TW |
dc.subject | arc plasma jet, chemical vapor deposition | en_US |
dc.title | 利用電弧電漿射流化學氣相沉積法合成鑽石及氮化碳膜 | zh_TW |
dc.title | SYNTHESIS OF DIAMOND AND CARBON NITRIDE FILMS BY ARC-PLASMA JET CHEMICAL VAPOR DEPOSITIION | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |