新的二維熱載子模擬技術及在次微米金氧半場效電晶體和快閃記憶體分析上的應用

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	溫□珊	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:14:29Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:14:29Z	-
dc.date.issued	1994	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT836430100	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/59942	-
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	新的二維熱載子模擬技術及在次微米金氧半場效電晶體和快閃記憶體分析上的應用	zh_TW
dc.title	A new 2-D hot-carrier modeling technique and its applications to submicrometer MOSFETs and flash EEPROM analysis	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文