以垂直布氏長晶法生長AgGa(SxSel-x)2單晶及其性質研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	5張惠林	en_US
dc.contributor.author	Chang, Hwai-Lin	en_US
dc.contributor.author	張秉衡	en_US
dc.contributor.author	Peng-Heng Chang	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:14:50Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:14:50Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT840159035	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/60212	-
dc.description.abstract	本研究以垂直布氏長晶法成長AgGa(SxSel0x)2單晶，X為0, 0.25, 0.75. 研究中將探討各種長晶變數對晶體便數對晶體性質的影響，並以X光繞社法做各繞社圖形的分析與計算經格常數且以電子微探儀做各組的定性分析，並將所發現出現在第四單晶的尾端希出物作定性分析與定量分析，最後介紹霍氏轉換紅外光普儀的分析結果。 The AgGa(SxSel-x)2 system form complete series of solid solution, we use the method of vertical Bridgeman to grow AgGa( SxSel-x)2 single crytals, the valueof x equals 0, 0.25 of 0.75.	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	電子微探儀	zh_TW
dc.subject	EPMA	en_US
dc.title	以垂直布氏長晶法生長AgGa(SxSel-x)2單晶及其性質研究	zh_TW
dc.title	THE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF AgGaS(SxSel-x)2 SINGLE C	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	材料科學與工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文