以垂直布氏長晶法生長AgGa(SxSel-x)2單晶及其性質研究

標題:	以垂直布氏長晶法生長AgGa(SxSel-x)2單晶及其性質研究 THE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF AgGaS(SxSel-x)2 SINGLE C
作者:	張惠林 Zhang, Hui-Lin 張秉衡 Zhang, Bing-Heng 材料科學與工程學系
關鍵字:	電子微探儀;材料科學;物理;EPMA;MATERIALS-SCIENCE;PHYSICS
公開日期:	1995
摘要:	The AgGa(SxSel-x)2 system form complete series of solid solution, we use the method of vertical Bridgeman to grow AgGa( SxSel-x)2 single crytals, the valueof x equals 0, 0.25 of 0.75.
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844058002 http://hdl.handle.net/11536/61137
顯示於類別：	畢業論文