以垂直布氏長晶法生長AgGa(SxSel-x)2單晶及其性質研究

標題:	以垂直布氏長晶法生長AgGa(SxSel-x)2單晶及其性質研究 THE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF AgGaS(SxSel-x)2 SINGLE C
作者:	5張惠林 Chang, Hwai-Lin 張秉衡 Peng-Heng Chang 材料科學與工程學系
關鍵字:	電子微探儀;EPMA
公開日期:	1995
摘要:	本研究以垂直布氏長晶法成長AgGa(SxSel0x)2單晶，X為0, 0.25, 0.75. 研究中將探討各種長晶變數對晶體便數對晶體性質的影響，並以X光繞社法做各繞社圖形的分析與計算經格常數且以電子微探儀做各組的定性分析，並將所發現出現在第四單晶的尾端希出物作定性分析與定量分析，最後介紹霍氏轉換紅外光普儀的分析結果。 The AgGa(SxSel-x)2 system form complete series of solid solution, we use the method of vertical Bridgeman to grow AgGa( SxSel-x)2 single crytals, the valueof x equals 0, 0.25 of 0.75.
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT840159035 http://hdl.handle.net/11536/60212
顯示於類別：	畢業論文