標題: 以垂直布氏長晶法生長AgGa(SxSel-x)2單晶及其性質研究
THE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF AgGaS(SxSel-x)2 SINGLE C
作者: 5張惠林
Chang, Hwai-Lin
張秉衡
Peng-Heng Chang
材料科學與工程學系
關鍵字: 電子微探儀;EPMA
公開日期: 1995
摘要: 本研究以垂直布氏長晶法成長AgGa(SxSel0x)2單晶,X為0, 0.25, 0.75. 研究中將探討各種長晶變數對晶體便數對晶體性質的影響,並以X光繞社 法做各繞社圖形的 分析與計算經格常數且以電子微探儀做各組的定性分 析,並將所發現出現在第四單晶的尾端希出物作定性分析與定量分析,最 後介紹霍氏轉換紅外光普儀的分析結果。 The AgGa(SxSel-x)2 system form complete series of solid solution, we use the method of vertical Bridgeman to grow AgGa( SxSel-x)2 single crytals, the valueof x equals 0, 0.25 of 0.75.
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT840159035
http://hdl.handle.net/11536/60212
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