以開放式後熱處理製程製備鉈系高溫超導薄膜研究

Abstract

本實驗嘗試使用一種較接近鉈蒸氣固定的方法，作為鉈系薄膜的後熱處理 ，直接用三氧化二鉈粉為補償來源。在高溫下三氧化二鉈粉分解成一氧化 二鉈和氧氣，直接用鉈蒸氣補償薄膜。藉由控制氧壓、基板溫度和鉈粉溫 度，可決定薄膜成長的相。這個方法較塊材補償容易控制，而且可以確切 掌握變數。本篇論文的主要目的，在設計一個接近鉈蒸氣分壓穩定的工作 環境，用開放式的高溫爐系統做為實驗設備，尋找後熱處理的條件，用一 種最簡單而且重複性高的方法，來作鉈系薄膜的後熱處理。從已知的相圖 來設計四種不同的工作氧壓，找出最佳條件，就這些樣品進行分析。瞭解 四種條件的可行性以及優缺點，做為以後尋找長時間低氧壓的後熱處理條 件的經驗。