完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 蔡甲文 | en_US |
dc.contributor.author | Cai, Jia-Wen | en_US |
dc.contributor.author | 潘犀靈 | en_US |
dc.contributor.author | Pan, Xi-Ling | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:16:17Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:16:17Z | - |
dc.date.issued | 1995 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844124005 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/61152 | - |
dc.description.abstract | 我們首次使用以半導體雷射為光源的光電鎖相及電光取樣技術,成功地測量了砷化鎵 微帶線上的高頻駐波到16GHz。這個技術使得我們可以很方便且精確地,得知微波傳 輸線的特性,諸如:電壓駐波比、反射係數和色散特性等重要參數。利用我們的技術 在相位量測上的優越露敏度,我們分析了4GHz到16GHz的駐波相位,並且得知了砷化 鎵微帶線的色散特性及反射係數。這些結果和理論值相當地吻合。我們也擴展這個技 術,對一段傳輸線作了S參數量測。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 光電工程 | zh_TW |
dc.subject | 光學 | zh_TW |
dc.subject | 光電鎖相 | zh_TW |
dc.subject | 電光取樣技術 | zh_TW |
dc.subject | 反射係數 | zh_TW |
dc.subject | 色射特性 | zh_TW |
dc.subject | 電壓駐波比 | zh_TW |
dc.subject | OPTI-ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.subject | OPTICS | en_US |
dc.title | Electro─optic RF Standing Wave Measurement Technique and its Applications | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |