STUDIES OF SI╱SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Abstract

在微波及數位切換應用上，異質接面雙極性電晶體具有高電流增益及高速度操作的優 異特性。在這篇論文□，我們製作並分析以矽鍺合金為基極的異質接面雙極性電晶體 ，所有的電晶體結構都是利用冷壁式超高真穴化學氣相沉積法在矽基板上成長而成。 超高真空化學氣相沉積技術可以精確地控制材料的組成及雜質摻雜分佈。在元件製告 上，我們使用高台式結構；另外，我們使用快速退火技術來保留矽鍺基極層的初成長 情形，並減少摻雜的外擴散。對不同的基極摻雜分佈設計所得之異質接面雙極性電晶 體，其電流增益大約為5到356，而最大的截止頻率大約為19.5GHz。由集極截距電流 和溫度的關係，我們可以估算出矽鍺基極和矽射極間的能隙差；另外，我們也討論了 元件特性和溫度和關係，結果顯示電流增益和截止頻率隨溫度的降低而增加。