標題: STUDY OF THE DELTA-DOPED InGaP╱InGaAs╱GaAs PSEUDOMORPHIC MODULATION DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS
作者: 曾國權
Zeng, Guo-Quan
施敏
SHI, MIN
電子研究所
關鍵字: SUBNIKOV-DE HAAS 量測方法;電子工程;截止頻率;最大異質互導;二維電子雲密度;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1995
摘要: 我們利用SUBNIKOV-DE HAAS量測方法,在絕對溫度零點六度時,發現DELTA摻雜的磷 化銦鎵材料具有二維電子雲的存在。次能帶的能位及次能帶上的波函數是利用自組式 計算法解帕松和薛丁格方程式得來的。測得的三個次能帶上的二維電子雲密度分別為 1.73*,0.87*及0.086*。計算出四個次能帶的能位分別為-39.33,-12.31,-8.00及 -4.09meV。 一個閘長2um,n-型磷化銦鎵╱砷化鎵的調變摻雜電晶體展示一個74mS╱mm的最大異 質互導,一個 121mS╱mm的最大本質互導。這元件具有一個源極電阻50歐姆,一個最 大振盪頻率()16GHz,一個截止頻率()6.2GHz。 第二種元件是一個閘長1.2um,DELTA摻雜磷化銦鎵╱砷化銦鎵╱砷化鎵的調變摻雜場 效電晶體。展示一個64mS╱mm的最大異質互導,一個163mS╱mm的最大本質互導,這 元件具有一個源極電阻50歐姆,一個最大振盪頻率()13.4GHz,一個截止頻率() 5.2GHz。最大異質互導值不高是由於高源極電阻和低電子遷移率所致。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844430010
http://hdl.handle.net/11536/61250
顯示於類別:畢業論文