STUDY OF THE DELTA-DOPED InGaP╱InGaAs╱GaAs PSEUDOMORPHIC MODULATION DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Abstract

我們利用SUBNIKOV-DE HAAS量測方法，在絕對溫度零點六度時，發現DELTA摻雜的磷 化銦鎵材料具有二維電子雲的存在。次能帶的能位及次能帶上的波函數是利用自組式 計算法解帕松和薛丁格方程式得來的。測得的三個次能帶上的二維電子雲密度分別為 1.73*，0.87*及0.086*。計算出四個次能帶的能位分別為-39.33，-12.31，-8.00及 -4.09meV。 一個閘長2um，n-型磷化銦鎵╱砷化鎵的調變摻雜電晶體展示一個74mS╱mm的最大異 質互導，一個 121mS╱mm的最大本質互導。這元件具有一個源極電阻50歐姆，一個最 大振盪頻率（）16GHz，一個截止頻率（）6.2GHz。 第二種元件是一個閘長1.2um，DELTA摻雜磷化銦鎵╱砷化銦鎵╱砷化鎵的調變摻雜場 效電晶體。展示一個64mS╱mm的最大異質互導，一個163mS╱mm的最大本質互導，這 元件具有一個源極電阻50歐姆，一個最大振盪頻率（）13.4GHz，一個截止頻率（） 5.2GHz。最大異質互導值不高是由於高源極電阻和低電子遷移率所致。