THE APPLICATION OF LOW TEMPERATURE（ 850 ℃） PROCESS TO FABRICATION OF MOSFET AND TFT

Abstract

在本論文中，我們探討了一低溫（850℃）兩步驟退火製程（LTN）用以改善氧化層特 性。即使在此低溫之下改善依然相當明顯，包括有較低的電子捕捉率，較大的崩潰電 荷和較少介面態的產生，並增強n－和p－通道金氧半場效電晶體的熱載子免疫力。所 有這些效應都可用因氮加入矽╱二氧化矽介面加強了介電質強度來解釋。由於低熱預 算之故，此一LTN製程對深次微米極大型積體電路製程而言是一很好的選擇。 我們也研究了退火效應對複晶矽薄膜電晶體特性之影響。導通特性已被改善。然而， 我們發現對退火時間而言存在一最佳條件。當超過此一最佳退火時間，改善的程度開 始劣化。三種可能的機制被用來解釋此一現象。我們認為此一最佳退火時間可能為閘 極氧化層及通道複晶矽層厚度之函數。