標題: 鈀及鉑攙雜矽接面的深層能階分析
The study of Deep Levels in Pd and Pt Doped Si P-N Junctions
作者: 邱明杰
Qiu, Ming-Jie
羅正忠
Luo, Zheng-Zhong
電子研究所
關鍵字: 深層能階暫態分析儀( DLTS );電子工程;擴散時間;ELECTRONIC-ENGINEERING;Deep levels
公開日期: 1995
摘要: 本論文主要是研究鈀和鉑攙雜二極體的高速切換特性,其目標是在矽二極體中能得到 較高的雜質濃度和較短的二極體切換時間,並對鈀和鉑在矽晶體中的深層能階作一分 析。我們利用深層能階暫態分析儀(DLTS)來研究鈀和鉑在矽中的能階和雜質濃度。 由雜質濃度對於擴散溫度和擴散時間的相依性研究指出,鈀和鉑濃度將隨擴散溫度的 增高和擴散時間的增長而變大,切換寺間隨擴散溫度的升高以及擴散時間的增刁而變 短。因此對於鈀和鉑而言,較高的擴散溫度和較長的擴散時間能得到較高的雜質濃度 和較短的切換時間。但在另一方面,二極體的漏電流隨著鈀和鉑雜質濃度的增加而變 大。 由DLTS分析得知:鈀的施體能階位於價帶之上0.52eV處,而受體能階位於傳導帶之下 0.22eV處,而受體能階位於傳導帶之下0.2eV處。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844430021
http://hdl.handle.net/11536/61262
顯示於類別:畢業論文