鈀及鉑攙雜矽接面的深層能階分析

Abstract

本論文主要是研究鈀和鉑攙雜二極體的高速切換特性，其目標是在矽二極體中能得到 較高的雜質濃度和較短的二極體切換時間，並對鈀和鉑在矽晶體中的深層能階作一分 析。我們利用深層能階暫態分析儀（DLTS）來研究鈀和鉑在矽中的能階和雜質濃度。 由雜質濃度對於擴散溫度和擴散時間的相依性研究指出，鈀和鉑濃度將隨擴散溫度的 增高和擴散時間的增長而變大，切換寺間隨擴散溫度的升高以及擴散時間的增刁而變 短。因此對於鈀和鉑而言，較高的擴散溫度和較長的擴散時間能得到較高的雜質濃度 和較短的切換時間。但在另一方面，二極體的漏電流隨著鈀和鉑雜質濃度的增加而變 大。 由DLTS分析得知：鈀的施體能階位於價帶之上0.52eV處，而受體能階位於傳導帶之下 0.22eV處，而受體能階位於傳導帶之下0.2eV處。