低介電常數材料與金屬（鎢、鈦與氮化鈦）化學氣相沈積在積體電路上的應用與研究

標題:	低介電常數材料與金屬（鎢、鈦與氮化鈦）化學氣相沈積在積體電路上的應用與研究 Studies of Low Dielectric Constant Materials and Metal(W、Ti and TiN) CVD for ULSI Application
作者:	梅玉貞 Mei, Yu-Jane 張俊彥 Chun-Yen Chang 電子研究所
關鍵字:	低介電常數;化學氣相沈積;鎢;氮化鈦;摻氟二氧化矽;阻障層;low dielectric constant;chemical vapor deposition;tungsten;titanium nitride;fluorine doped oxide;barrier layer
公開日期:	1997
摘要:	本論文研究未來元件製造的內連線金屬化製程。在超大型積體電路中，內連線的RC時間延遲對元件速度的影響變的比閘極RC延遲來的大，所以許多半導體製造業者預測內連線金屬化製程所用之材料，朝向低介電常數材料及抗電子遷移能力佳的金屬材料發展。在低介電常數材料方面，本論文選擇兩種具有潛力的材料:摻氟二氧化矽及HSQ（hydrogen silsesquioxane）。在金屬材料方面則研究化學氣相沈積鎢及氮化鈦。摻氟二氧化矽已知可降低二氧化矽的介電常數。然而摻氟二氧化矽暴露在空氣中容易吸水，使得介電常數又再度上升。我們以含氮氣體N2O、NH3電漿處理摻氟二氧化矽
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT860428015 http://hdl.handle.net/11536/62995
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