硒化錳鋅薄膜高壓相變之研究

標題:	硒化錳鋅薄膜高壓相變之研究 High pressure induced phase transition of Zn1-xMnxSe thin film.
作者:	廖珮君 Liao, Pei-Jun 褚德三 Chu, De-San 電子物理系所
關鍵字:	硒化錳鋅薄膜;半導體-金屬;金屬化相變;Ｚｎ1-xＭｎxＳｅ;高壓;二六族半導體薄膜;高壓拉曼;電子物理;電子工程;Semiconductor-metal;Metallization;High-pressure;ZnMnSe;II-VI semiconductor thin film;High-pressure Raman;ELECTROPHYSICS;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期:	1997
摘要:	本文是藉由摻入不同錳原子濃度的硒化錳鋅薄膜,利用拉曼光譜研究其在高壓下聲子振動模式改變之行為.我們利用鑽石高壓砧的技術產生高壓至20GPa. 實驗中發現,當壓力分別增加至11.7GPa(Mn=7%).10.9GPa( Mn=16%).和13.6GPa(Mn=28%) 時產生半導體-金屬結構變化.而在金屬相變之前,TO模分裂一次產生新的相變,其壓力分別為1.9GPa(Mn=7%).2.4 GPa(Mn=16%)和4.8GPa(Mn=28%).除了TO分裂模隨著壓力呈現紅位移外,LO. TO及Mn local 模皆呈現藍位移的趨勢,在金屬化相變後LO及Mn local 模完全消失,然而TO及TO分裂模仍然可藉由光譜觀測到.隨著錳原子濃度增加,金屬化相變的壓力會隨之提早,然而對於高濃度(Mn=28%)金屬化相變之值則有待其它實驗佐證.
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT864429001 http://hdl.handle.net/11536/63638
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