分子束磊晶低溫成長砷化鎵電性量測分析

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳乃權	en_US
dc.contributor.author	陳振芳	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:19:48Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:19:48Z	-
dc.date.issued	1997	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT866429001	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/63673	-
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	分子束磊晶低溫成長砷化鎵電性量測分析	zh_TW
dc.title	= The electrical characteristics of annealed molecular beam epitaxial GaAs grown at low temperatures	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文