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dc.contributor.author趙宗茂en_US
dc.contributor.author孟慶宗en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:19:50Z-
dc.date.available2014-12-12T02:19:50Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009167553en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/63713-
dc.description.abstract本篇論文主要研究損耗性平面式Marchand Balun理論,建立起嚴格的理論分析,以便將該理論運用在目前Si製程,進一步整合數位電路邁向SOC(system on chip)。 在分析過程中,剛開始用到傳輸線理論,然後耦合線理論最後利用耦合線理論推廣至損耗性平面式Marchand Balun理論。 論文中主要介紹兩種類型Marchand Balun—類型一與類型四,其中類型一為目前最常用,也是用最久的類型,因為其完美匹配條件所需的耦合量約-4.8 dB,在board 或chip level 很容易做到。而類型四的完美匹配條件所需耦合量約-1.8 dB,這只有在chip level 可以辦到,因為我們可以利用IC立體的特性,增加線圈的耦合量,此外它的操作頻寬也大於類型ㄧ。 既使類型ㄧ、類型四輸入阻抗不匹配、損耗性、傳輸線長度不等於中心頻率四分之一波長,它們皆可當成Balun使用。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject傳輸線zh_TW
dc.subject耦合線zh_TW
dc.subject功率分波器zh_TW
dc.subjectTransmission lineen_US
dc.subjectCoupled lineen_US
dc.subjectPower Divideren_US
dc.subjectMarchand Balunen_US
dc.title損耗性平面式Marchand Balun理論zh_TW
dc.titleLossy Planar Marchand Balun Theoryen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電機學院電信學程zh_TW
Appears in Collections:Thesis


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