標題: 用自我調適法對p型金氧半電晶體在強反轉模式下能階的計算
作者: 曾鉉峰
Hsuen-Feng Tseng
孟心飛
Hsin-Fei Meng
物理研究所
關鍵字: 自我調適法;金氧半電晶體;準二維電子氣體;次能階;self-consistent;MOS(Metal Oxide Semiconductor);quasi-two dimensional electron gas;subband
公開日期: 1998
摘要: 在本論文中,將藉由自我調適法,去計算基座為p型的金氧半電晶體在強反轉模式下的各能階,以及電子在各能階上的平均距離。隨著?度的不同,我們可以探討在不同?度下,以及不同的電子分佈,由這些結果可以去推想在有源極和汲極偏壓時,這些導通電子在薄反轉層中運動,電子在元件z方向的影響。本程式考慮其量子化的特性(準二維電子),用矩陣化的方式去得到以上的結果,同時也把電子間的交互作用考慮進去。 然後調整晶面,不同的晶面有不同的有效質量分佈,從而影響反轉層表面電荷厚度。最後再把不同材料加以計算比較,可以看到不同材料在相同的摻雜雜質數量下,有不同的表現。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT870198002
http://hdl.handle.net/11536/63953
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