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dc.contributor.author王仲益en_US
dc.contributor.author吳介琮en_US
dc.contributor.author吳介琮en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:26:40Z-
dc.date.available2014-12-12T02:26:40Z-
dc.date.issued2009en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009211822en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/67913-
dc.description.abstract高電路廣泛應用於各種電子產品中,隨著MOS電晶體的通道長度越來越短,電晶體的寄生效應也隨之變小,這樣可以大大提升其操作數度以節省功率消耗.然而也是因為通道長度的縮短,使得各種電晶體的非理想特性使得類比電路設計的難度越來˙越高,讓類比電路的效能面臨嚴峻的考驗. 本篇論文描述一個多項位時序校正技術,並將其應用在時序交錯是類比數位轉換器上.針對我們所提出的校正技巧,推導其數學模型,藉以分析應用該系統所需要的最佳參數. 我們實現了一個65奈米金氧半場效電晶體的6-bit,16GS/s 435mW之時序交錯類比數位轉換器,他利用我們所提出的校正技術,將時序歪斜校正至最低,在輸入訊號為3GHz左右,等校取樣頻率為16GHz,可將原本19dB的SNDR改善至28dB,而由時序歪斜所造成的失真訊號則是由28dB改善至49dB.zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject類比數位轉換器zh_TW
dc.subjectanalog-to-digital converteren_US
dc.title多相位時序歪斜校正技術及其於時序交錯類比數位轉換器之應用zh_TW
dc.titleMulti-Phase Timing Skew Calibratio nand Its Application to Timie-Interleaved ADCsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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