標題: 氮化鎵金屬-半導體-金屬光偵測器之製程與光電特性
Process and optoelectronic GaN metal-semiconductor-metal photodetectors
作者: 陳姿均
Zun-Chun Chen
楊賜麟
Su-Lin Yang
電子物理系所
關鍵字: 氮化鎵;金屬-半導體-金屬光偵測器;GaN;metal-semiconductor-metal photodetectors
公開日期: 2002
摘要: 中文摘要 柵狀結構紫外光的金屬-半導體-金屬光偵測器已經成功的製作在無摻雜氮化鎵基板上。利用L-EDIT軟體設計出可製作出各種不同條件的金屬-半導體-金屬(MSM)光偵測器元件的三道光罩圖形,其中包含了四種不同的電極寬度、五種間距、不同的電極長度、以及有無氧化層保護。在製程上,分別蒸鍍白金、鎳/金、白金/金三種不同的金屬,並分別給予適當溫度的熱退火處理。元件特性量測方面,針對各種不同條件的MSM光偵測器元件之照射光源波長的響應(光譜響應)、以及外加偏壓的響應(直流響應)加以比較與分析。白金/氮化鎵MSM表現出最低的暗電流。其光譜響應範圍在270~370 nm,在360 nm 處有響應最大值1.8 mA/W。
Abstract Interdigitated ultraviolet metal-semiconductor-metal photodetectors were successfully fabricated on undoped-GaN wafers. We fabricated many kinds MSM photodetectors with finger width = 3, 4, 5, 8 μm, finger spacing width = 2, 3, 4, 5, 8 μm, and with or without oxidation. In process, Pt, Ni/Au, Pt/Au metals are deposited on individual wafers with annealing. We measured the photo responsivity and current-voltage to characterize MSM photodetectors. The Pt/GaN MSM photodetectors gives the lowest dark current and its range of responsivity versus wavelength is 270~370 nm. The maximum responsivity is 1.8 mA/W at 360 nm.
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT910429032
http://hdl.handle.net/11536/70521
顯示於類別:畢業論文