統計資料
總造訪次數
檢視 | |
---|---|
利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體 | 123 |
本月總瀏覽
檔案下載
檢視 |
---|
國家瀏覽排行
檢視 | |
---|---|
中國 | 99 |
美國 | 18 |
台灣 | 6 |
縣市瀏覽排行
檢視 | |
---|---|
Shenzhen | 94 |
Menlo Park | 13 |
Beijing | 5 |
Kensington | 4 |
Taipei | 4 |
University Park | 1 |
檢視 | |
---|---|
利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體 | 123 |
檢視 |
---|
檢視 | |
---|---|
中國 | 99 |
美國 | 18 |
台灣 | 6 |
檢視 | |
---|---|
Shenzhen | 94 |
Menlo Park | 13 |
Beijing | 5 |
Kensington | 4 |
Taipei | 4 |
University Park | 1 |