完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author彭玉容en_US
dc.contributor.authorYu-Rung Pengen_US
dc.contributor.author郭正次en_US
dc.contributor.authorCheng-Tzu Kuoen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:42:08Z-
dc.date.available2014-12-12T02:42:08Z-
dc.date.issued2004en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009218543en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/74979-
dc.description.abstract本研究為利用微波電漿化學汽相沉積系統(MPCVD),探討緩衝層之材質與厚度對於觸媒輔助成長單壁碳奈米管(SWNTs)之影響。選用的觸媒有Co與Fe,反應氣體為氫氣與甲烷,以及緩衝層材料包含ZnS-SiO2、Si3N4、TiN 、Al2O3、AlN及AlON等,其厚度範圍在5-20 nm。對於製程中緩衝層材料之初鍍膜、觸媒輔助之碳結構與SWNTs的特性,使用原子力顯微鏡(AFM) 、X-ray繞射(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、高解析穿透式電子顯微鏡(HRTEM)、拉曼光譜儀(Raman spectroscopy) 和場效發射I-V量測儀等儀器來分析。由實驗結果可得到下列結論: 碳奈米結構及其成長機制主要和下列製程參數有關: 緩衝層、觸媒之材質與厚度以及沉積條件。以鋁基材作為緩衝層(e.g. Co catalyst)或者氫電漿前處理後之觸媒粒子很小(e.g. Fe catalyst),都具有觸媒輔助成長SWNTs的優勢。以Co觸媒而言,其生成SWNTs的趨勢為 AlON ≒Al2O3 > AlN,AlON( 10 nm) > AlON( 20 nm) > AlON( 5 nm);Fe觸媒則是AlN >Al2O3。由於鋁基緩衝層的影響,基本上是幫助Co觸媒粒子表面形成奈米級的突起作為成核點而成長束狀SWNTs,因此有最佳的緩衝層厚度。Co觸媒與鋁基緩衝層輔助成長SWNTs的機制為根莖成長機制(root-growth mechanism) ,形成單一粒子表面生成多束SWNTs的形貌;Fe觸媒則為Baker成長機制,形成一些由不同粒子所構成的束狀SWNTs。 關於沉積條件對合成束狀SWNTs的影響,有最佳沉積壓力(~23 Torr for Co catalyst)以及最佳CH4/H2流量比(1.5/200 sccm/sccm for Fe catalyst)的條件。高壓或高CH4/H2流量比,基本上是提供更多碳源去形成更多非晶質碳,使奈米級的突起或微小的觸媒粒子易於毒化,因此降低了SWNTs的生成。對於Co觸媒來說,低壓(<16 Torr)提供的碳源較少以及溫度亦較低,所以觸媒表面突起位置能成長SWNTs的量就減少了。在Fe觸媒方面,由於氫電漿前處理後之粒徑很小,低CH4/H2流量比(<1.5/100 sccm/sccm)使微小粒子被非晶質碳毒化的機會少,因此可以形成更多SWNTs。除此之外,緩衝層對於碳結構之場發射性質而言,無顯著的影響。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject單壁碳奈米管zh_TW
dc.subject緩衝層zh_TW
dc.subjectSWNTsen_US
dc.subjectbuffer layeren_US
dc.title緩衝層之材質與厚度對於觸媒輔助成長單壁碳奈米管之影響zh_TW
dc.titleEffects of buffer layer material and thickness on catalyst-assisted growth of SWNTsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科學與工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文


文件中的檔案:

  1. 854301.pdf
  2. 854302.pdf
  3. 854303.pdf
  4. 854304.pdf
  5. 854305.pdf
  6. 854306.pdf
  7. 854307.pdf
  8. 854308.pdf
  9. 854309.pdf
  10. 854310.pdf
  11. 854311.pdf
  12. 854312.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。