完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 李功允 | en_US |
dc.contributor.author | Gung Yun Lee | en_US |
dc.contributor.author | 趙書琦 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:43:56Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:43:56Z | - |
dc.date.issued | 2004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009221505 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/75691 | - |
dc.description.abstract | 本論文的主要內容介紹,是以三氧化鎢/氧化銥薄膜為基礎的二極體元件在低溫環境下之工作研究探討。首先,我們在白金電極上先後鍍上三氧化鎢與氧化銥薄膜,並讓兩薄膜中間部分面積重疊,使得薄膜重疊的界面形成二極體架構。而這兩薄膜之靶材濺鍍都是使用剝落製程技術,最後才以環氧樹脂封裝完成。本元件的工作機制,是由於三氧化鎢與氧化銥薄膜都是採雙載子注入方式,而我們濺鍍出來的氧化銥薄膜夾層內含有氫離子,而當氫離子與電子進入薄膜內時,薄膜會產生可逆式的氧化還原反應。而我們將元件放入低溫系統內,則會發現Vonset會隨溫度的降低而增大;Vzener其值會隨溫度的降低而變小。而且我們可把此元件視為一良好的溫度感測器來使用,因元件含有以下優點:在-90℃~120℃間有良好的工作重複性、體積小、製程便宜、薄膜穩定性佳、微型化。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 氧化銥 | zh_TW |
dc.subject | IrO2 | en_US |
dc.title | 無電解質之三氧化鎢與氧化銥二極體元件在低溫環境下之電性研究 | zh_TW |
dc.title | The Research of electric characteristic Based on WO3 and IrO2 Diode without Electrolyte in Low Temperature State | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |