Sideband的不對稱性與電子在雙頻率調變下的量子傳輸特性

Abstract

電子穿透在一維窄通道裡面受到時變電場影響的量子點時，喜好藉由吸收光子到達量子點的共振態，並且藉由此共振態穿透量子點。在這個研究裡面，我們利用兩個不隨時間變化的靜態位能障來模擬我們的量子點，並且提出了單-光子的方法來計算sideband的不對稱性。單-光子的方法精確的估算了電子在窄通道裡對量子點的穿透，並且我們從這個方法得到了清楚的物理圖像，也因此了解sideband不對稱的由來。我們也在窄通道裡面也嘗試了不同的物理結構。不同的結構左右兩邊的電子對系統的穿透有很大的差異性。另外，我們探討量子點在雙頻率的電場調變之下，電子對它所產生的穿透特性。我們並且注意到量子點的共振能階會因為時變電場偏壓的影響而產生漂移的現象，我們也因此模擬了幾個不同情況的量子點，探討共振能階漂移的現象。最後我們計算了系統在時變電場的調變之下所產生的淨電流。