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dc.contributor.author張君黛en_US
dc.contributor.author林登松en_US
dc.contributor.authorDeng-Sung Linen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:47:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:47:29Z-
dc.date.issued2004en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009227505en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/76908-
dc.description.abstract本文主要研究的是超薄(0~2.8ML)鍺對矽氧化的影響。實驗是在Si(100)表面利用原子層磊晶(ALE,Atomic Layer Eitaxy)的方式分別成長0.4、1.2、2.8 單原子層的Ge原子,再個別研究不同曝氧量的情形。利用核心層光電子激發術( Synchrotron Core-Level Phototemission )來掃描Si 2p與Ge 3d的光電子能譜,並與表面沒有Ge的Si(100)表面所形成的氧化層比較。研究結果顯示以下幾個結果::樣品加溫至630℃曝氧,超薄Ge層在Si(100)表面形成矽氧化物的時候,從Ge 3d的光電子能譜並沒有發現GeO或是GeO2的訊號峰,證明不會有Ge的氧化層存在樣品上,且從Ge 3d光電子能譜合配的結果可知,曝氧後只有Ge內體分量,代表Ge原子沒有在矽氧化物內出現,而是在Si(100)基板與Si氧化物之間形成一薄層,Ge全部被表面形成的矽氧化物層覆蓋;並由Si 2p的光電子能譜以及二氧化矽的厚度分析結果,樣品吸附的Ge含量越高,在相同氧化條件形成的氧化層厚度也就越高,證明即使只有極微量的Ge存在還是能具有催化劑的功能,在Si(100)表面加速矽氧化層薄膜的形成。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氧化矽zh_TW
dc.subjectzh_TW
dc.subjectSi oxidationen_US
dc.subjectGeen_US
dc.title超薄鍺對於氧化矽成長初期的影響zh_TW
dc.titleThe Influence of Si Oxidation due to Thin Ge Layersen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department物理研究所zh_TW
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