應用超臨界二氧化碳清除蝕刻後殘餘污染物之研究

Abstract

超臨界流體是一種先進的環保技術，可以減少溶劑與水的使用量，同時具有低表面張力、低黏度、高擴散性等獨特性質。當半導體元件的尺寸進入奈米等級後，將會面臨高深寬比結構，及材料特徵所導致的技術瓶頸，而超臨界流體技術對此均有很好的解決能力。 本研究的最終目的是研究超臨界二氧化碳與co-solvent去除蝕刻後的光阻及其殘餘污染物，分三個階段進行，第一階段為硬烤後的光阻去除，第二階段為離子植入製程後的光阻去除，第三階段為蝕刻製程後的光阻去除。 光阻的去除是利用昇降壓的動作使光阻與底材剝離，再以足夠的液體流量，將已膨脹、剝離的光阻移除，最後利用臨界二氧化碳將殘餘的co-solvent移除，以達到乾燥的目的。所以超臨界二氧化碳的光阻去除製程是ㄧ種 ”乾進－乾出 ”的製程。