標題: | 缺陷對氮化物藍光二極體光電特性之影響 Effects of Defects on the Optoelectronic Properties of III-Nitride Based Light Emitting Diodes |
作者: | 許晉源 Chin-Yuan Hsu 吳耀銓 藍文厚 YewChung Sermon Wu Wen-How Lan 材料科學與工程學系 |
關鍵字: | 氮化鎵;缺陷;貫穿式差排;金屬接觸;GaN;defect;threading dislocation;metal contact |
公開日期: | 2005 |
摘要: | 本論文主要是研究氮化物藍光二極體的缺陷和其光電特性。我們會探討熱回火對金屬接觸在氮化鎵二極體上的效應,也會觀察貫穿式差排(threading dislocation)對氮化鎵二極體的影響,並對這兩者間的相互關係進行討論。在金屬接觸的實驗上,我們使用了鎳-金系和氧化銦鎵系金屬作為p型的透明接觸層。在經過不同溫度的熱回火處理之後,我們會量測元件的光電特性,例如特徵性接觸電阻、電流-電壓性質,電致激發光譜和光致激發光譜等等。在微觀結構分析方面,藉由穿透式電子顯微鏡、掃苗式電子顯微鏡的影像與能量散佈光譜,我們可以清楚的觀察到缺陷與差排的存在與形態。因此我們將進一步的討論差排對氮化鎵二極體的影響。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT008918818 http://hdl.handle.net/11536/77924 |
顯示於類別: | 畢業論文 |
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