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dc.contributor.author陳明珠en_US
dc.contributor.author陳智en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:51:19Z-
dc.date.available2014-12-12T02:51:19Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009275507en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/77956-
dc.description.abstract在半導體製程中,電子遷移是後段連線非常重要的可靠度項目,因為電子遷移的效應可能會使金屬導線斷線或短路,而使元件失去功能;特別是近代的半導體元件,後段金屬連線導入不同的材料,如銅金屬及低介電係數的介電層;且金屬尺寸越來越小,使用的電流密度越來越高,這使得電子遷移更加重要。 本研究係討論半導體後段銅金屬連線電子遷移的影響因素,包含金屬尺寸的變化及不同的測試結構,由實驗分析這些因素對電子遷移的影響程度及原因;另外也用不同的分佈函數來分析資料,討問在不同的分佈函數推估下,對電子遷移的壽命影響程度。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電遷移zh_TW
dc.subjectelectromigrationen_US
dc.title銅連線中之線寬, 接點數目, 以及分析方法對電遷移平均壽命影響zh_TW
dc.titleThe Effects of Width, Via number and Analytical Method on the Mean-time-to-failure of Electromigration for Cu Interconnectsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department工學院半導體材料與製程設備學程zh_TW
顯示於類別:畢業論文