在矽基材與氮化鎵基材上利用陽極氧化鋁製作奈米級光罩

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	余子強	en_US
dc.contributor.author	李威儀	en_US
dc.contributor.author	Wei-I Lee	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:56:12Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:56:12Z	-
dc.date.issued	2005	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009321530	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/78972	-
dc.description.abstract	本研究首先在矽基材上藉由附著層(Ti)成功地製備出多孔性氧化鋁模板，接著分別使用草酸及硫酸兩種不同電解液、調變操作電壓與改變溫度來了解這些參數對模板的孔徑大小與孔洞密度的影響，進而能得知該如何控制孔徑與密度的技術且最佳氧化溫度為0°C~10°C，由於最終目的是要結合在氮化鎵磊晶技術上，所以利用在矽基材上製備多孔性氧化鋁的技術應用在氮化鎵基材上，不過在陽極氧化時發現會有薄膜的脫落，因此為了改善這樣的情況，試著加厚鋁層的厚度至1μm或降低操作電壓至20V來達到目的，此兩種方法都可以改善薄膜剝離的情形。另外為了使多孔性氧化鋁模板在磊晶技術上結合性更高，便把附著層Ti換成SiO2，但因為氧化鋁厚度的增加會使得在磊晶技術上應用不方便，故在SiO2上使用降低操作電壓(約20V)解決薄膜脫落的問題。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	陽極氧化鋁	zh_TW
dc.subject	anodic aluminum oxide	en_US
dc.title	在矽基材與氮化鎵基材上利用陽極氧化鋁製作奈米級光罩	zh_TW
dc.title	Useing anodic aluminum oxide on Si and GaN substrates to fabricate the nanomask	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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