ZnSnO3薄膜光電性質研究

Abstract

本論文研究的是ZnSnO3透明半導體薄膜的光電性質且以脈衝雷射蒸鍍成功地在Sapphire(0001)鍍出ZnSnO3。並分別改變鍍膜氧壓和溫度，嘗試作出電阻率低且高透光率的薄膜。由XRD圖發現，隨著溫度提高，繞射峰將往大角度移動，顯示溫度提高將使晶格常數變小。將鍍膜溫度提高至600℃以上改善了薄膜的電阻率且電阻率大約在10-1 Ω-㎝且最大載子遷移率為19㎝2V-1s-1。當鍍膜溫度在500℃以上，在可見光區範圍內，透光率將可達85%以上。由穿透頻譜不僅可以知道可見光區的高透光率且可知能隙值大於4.1eV。