以全條減光散條及陣列減光散條增進焦深改善禁止間距之模擬

Abstract

微影未來趨勢為使用濕浸式、偏振光與偏軸發光，但禁止間距將更嚴重。 本論文重點在於，以模擬探討散條增進焦深與改善禁止間距之效果，並在三種已知的散條中選擇出最適當的相移角度及透射率組合。 電腦模擬，使用美國KLA-Tencor之微影模擬軟體Prolith v. 9.0，線寬為65奈米，光源使用193奈米波長、數值孔徑為0.85、門檻光強為0.3、照射寬容度為6 %、阻劑厚度為195奈米、焦深設定200奈米為可接受值，並且調控各製程參數來進行模擬。 全條遮光、全條減光、陣列減光是已知的三種散條類型，用以修正光學鄰近效應，增進解像度與焦深，但是各有其利弊。 依先前所作的模擬發現，用四扇面偏軸發光、濕浸式、Y-偏振光和減光型相移圖罩的組合，會有最佳的焦深效果。最適化聚焦面約在阻劑厚度0.66-0.75之間，即阻劑半高以上。 搭配相移角度40度、透射率0.3、尺寸60奈米的全條遮光散條，效果最好。可以提升焦深而且不會造成顯影外，尺寸夠大也是對製程改善的一大利多。此外，透射率0.4、尺寸120奈米的陣列减光散條，也對焦深的提升有明顯的成效。兩者皆為65奈米下，最佳的散條修正類型。