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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 凃廷遠 | en_US |
dc.contributor.author | 冉曉雯 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T03:05:20Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T03:05:20Z | - |
dc.date.issued | 2007 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009415527 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/81053 | - |
dc.description.abstract | 有機薄膜電晶體,因其具有低溫製程、低成本和製程簡單的優勢,所以在如可撓曲式面板、感測器和RFID及其他的電子元件等都有很好的應用。但在有機元件製作上仍有部分需克服的難題,如主動區的圖形化、有機元件的保護層製作不易和高操作電壓等。其中有機主動區的圖形化可防止電晶體間的crosstalk現象及降低漏電,目前有機元件圖形化的相關文獻中,仍有許多未加以討論的部份,此論文將利用兩種不同製程方法將主動區成功圖形化,並加以討論成功圖形化的關鍵。 本文所述的兩種方法都是利用控制表面能差異來成功的圖形化。第一種是利用UV光調變自組裝單層膜(SAM)的極性,使pentacene成長在親、疏水兩種不同的表面上。第二種方式是將原本有親油的介電層AlN,使用氧電漿處理來讓AlN表面能大幅上升。兩種方法都是利用不同模式成長的pentacene與介電層之間的鍵結力強弱不同,在經過去離子水溶液浸泡之後,因為去離子水對不同表面的侵入能不同,鍵結力弱的區域便因此剝落,而有高表面能的區域便可留在預定的區域,元件也因此圖形化。其中介於pentacene薄膜、基板與去離子水間的不同侵入能,便是成功定義出主動區的關鍵因素。而我們所提出的此定義方式,亦可與傳統的黃光微影製程結合,製作出OTFTs陣列。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 圖形化 | zh_TW |
dc.subject | patterning | en_US |
dc.title | 表面能調變於有機薄膜電晶體圖形化之應用 | zh_TW |
dc.title | Pentacene patterning by the adjustment of surface energy and its application on OTFTs | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 顯示科技研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |