使用BCB及LCP作為高頻覆晶封裝底膠填充的材料

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	胡吟竹	en_US
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T03:05:55Z	-
dc.date.available	2014-12-12T03:05:55Z	-
dc.date.issued	2006	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418516	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/81163	-
dc.description.abstract	在覆晶封裝後填入底膠填充的材料，主要目的是增加金屬凸塊的疲勞壽命,保護接點以及幫助散熱。然而，當覆晶封裝被使用做高頻元件的封裝的應用時，底膠填充的材料因為具有較高的介電特性，導致高頻信號在傳輸的過程中增加了信號的損耗。除此之外，加入底膠填充材料後，會導致傳輸線的阻抗不匹配，使得高頻傳輸特性變差。本論文中提出兩種方式，來改善覆晶封裝在填入底膠填充後的高頻特性。第一是利用傳輸線的設計，使阻抗匹配。第二提出利用低介電特性的材料(如BCB及液晶高分子)作為底膠填充的材料。實驗結果得知，當傳數線經過設計，使得填入底膠填充的阻抗匹配，確實可以改善覆晶封裝在底膠填充後的高頻傳輸特性。另外，使用低介電材料作為底膠填充的材料，更可以得到非常好的高頻特性	zh_TW
dc.language.iso	en_US	en_US
dc.subject	覆晶封裝	zh_TW
dc.subject	高頻	zh_TW
dc.subject	底膠填充	zh_TW
dc.subject	液晶高分子	zh_TW
dc.subject	低介電	zh_TW
dc.subject	flip chip	en_US
dc.subject	high frequency	en_US
dc.subject	underfill	en_US
dc.subject	low dielectric loss	en_US
dc.subject	BCB	en_US
dc.subject	LCP	en_US
dc.title	使用BCB及LCP作為高頻覆晶封裝底膠填充的材料	zh_TW
dc.title	Using BCB and LCP As New Underfill Material for High Frequency Flip Chip Interconnects	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	材料科學與工程學系	zh_TW
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