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dc.contributor.author胡吟竹en_US
dc.contributor.author張翼en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T03:05:55Z-
dc.date.available2014-12-12T03:05:55Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418516en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/81163-
dc.description.abstract在覆晶封裝後填入底膠填充的材料，主要目的是增加金屬凸塊的疲勞壽命,保護接點以及幫助散熱。然而，當覆晶封裝被使用做高頻元件的封裝的應用時，底膠填充的材料因為具有較高的介電特性，導致高頻信號在傳輸的過程中增加了信號的損耗。除此之外，加入底膠填充材料後，會導致傳輸線的阻抗不匹配，使得高頻傳輸特性變差。本論文中提出兩種方式，來改善覆晶封裝在填入底膠填充後的高頻特性。第一是利用傳輸線的設計，使阻抗匹配。第二提出利用低介電特性的材料(如BCB及液晶高分子)作為底膠填充的材料。實驗結果得知，當傳數線經過設計，使得填入底膠填充的阻抗匹配，確實可以改善覆晶封裝在底膠填充後的高頻傳輸特性。另外，使用低介電材料作為底膠填充的材料，更可以得到非常好的高頻特性zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject覆晶封裝zh_TW
dc.subject高頻zh_TW
dc.subject底膠填充zh_TW
dc.subject液晶高分子zh_TW
dc.subject低介電zh_TW
dc.subjectflip chipen_US
dc.subjecthigh frequencyen_US
dc.subjectunderfillen_US
dc.subjectlow dielectric lossen_US
dc.subjectBCBen_US
dc.subjectLCPen_US
dc.title使用BCB及LCP作為高頻覆晶封裝底膠填充的材料zh_TW
dc.titleUsing BCB and LCP As New Underfill Material for High Frequency Flip Chip Interconnectsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科學與工程學系zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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