鍺銻碲相變化薄膜的電氣性質與相變化行為之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳沿州	en_US
dc.contributor.author	謝宗雍	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T03:06:00Z	-
dc.date.available	2014-12-12T03:06:00Z	-
dc.date.issued	2007	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418527	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/81173	-
dc.description.abstract	相變化記憶體（Phase-change Random Access Memory，PRAM）被譽為下一世代的電子式記憶媒體。本論文以自組之電性量測系統測量鍺銻碲（GeSbTe）相變化記憶體薄膜之電氣性質，量測所得代入Percolation 理論模型與 Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov（JMAK）方程式分析及其相變化過程之結晶相之成長機制，並比較摻雜氮（N）與鉬（Mo）對GeSbTe薄膜之電性與相變化行為的影響。實驗結果顯示，GeSbTe薄膜之非晶態-晶態相變化活化能（Activation Energy，Ea）有隨膜厚的減少而降低之趨勢，對不同膜厚之試片，JMAK方程式之分析顯示其有不同的結晶相成長模式，膜厚為100 nm試片，成長方式為在表面形成球狀結晶，再往垂直試片方向成長；20 nm試片則形成介於圓柱與球狀的成長方式。氮與鉬的摻雜之GeSbTe薄膜之相變化活化能與結晶溫度均提昇，其原因為推測為晶粒細化所致。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	鍺銻碲	zh_TW
dc.subject	鉬摻雜	zh_TW
dc.subject	活化能	zh_TW
dc.subject	Avrami指數	zh_TW
dc.subject	氮摻雜	zh_TW
dc.subject	相變化記憶體	zh_TW
dc.subject	GeSbTe	en_US
dc.subject	molybdenum doping	en_US
dc.subject	activation energy	en_US
dc.subject	Avrami coefficient	en_US
dc.subject	nitrogen doping	en_US
dc.subject	phase-change memory	en_US
dc.title	鍺銻碲相變化薄膜的電氣性質與相變化行為之研究	zh_TW
dc.title	Electrical Properties and Phase Transition Behaviors of GeSbTe Phase-change Thin Films	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	材料科學與工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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