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dc.contributor.author李國盛en_US
dc.contributor.author楊賜麟en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T03:10:35Z-
dc.date.available2014-12-12T03:10:35Z-
dc.date.issued2003en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009021525en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/82224-
dc.description.abstract本論文的主要研究是設計、製作、以及特性量測650 nm波段的共振腔發光二極體(Resonant Cavity Light Emitting Diode, RCLED)。RCLED磊晶片的活性層是由三週期的 / 量子井所組成，上層和下層DBR分別是8週期和32週期的AlAs/ 。在結構變化方面，我們設計5個不同窗口尺寸，分別是直徑80、110、140、170和 。另外在圓環接觸開口的邊緣(或p-電極邊緣)和窗口邊緣的位移量d項，我們設計三種條件，分別是 、0、及 。實驗結果顯示窗口尺寸 及 的RCLED元件具有最大的光輸出功率1.18 mW和最大的量子效率1.93 %。任意窗口尺寸且d為 的RCLED相對於 和 有較大的光輸出功率。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject共振腔發光二極體zh_TW
dc.subject抽取效率zh_TW
dc.subject窗口zh_TW
dc.subject遠場強度分佈zh_TW
dc.subject外部量子效率zh_TW
dc.subjectResonant Cavity Light Emitting Diodesen_US
dc.subjectextraction efficiencyen_US
dc.subjectapertureen_US
dc.subjectfar-fielden_US
dc.subjectexternal quantum efficiencyen_US
dc.title共振腔發光二極體的製作與特性量測zh_TW
dc.titleFabrication and Characterization of Resonant Cavity Light Emitting Diodesen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
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