共振腔發光二極體的製作與特性量測

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李國盛	en_US
dc.contributor.author	楊賜麟	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T03:10:35Z	-
dc.date.available	2014-12-12T03:10:35Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009021525	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/82224	-
dc.description.abstract	本論文的主要研究是設計、製作、以及特性量測650 nm波段的共振腔發光二極體(Resonant Cavity Light Emitting Diode, RCLED)。RCLED磊晶片的活性層是由三週期的 / 量子井所組成，上層和下層DBR分別是8週期和32週期的AlAs/ 。在結構變化方面，我們設計5個不同窗口尺寸，分別是直徑80、110、140、170和。另外在圓環接觸開口的邊緣(或p-電極邊緣)和窗口邊緣的位移量d項，我們設計三種條件，分別是、0、及。實驗結果顯示窗口尺寸及的RCLED元件具有最大的光輸出功率1.18 mW和最大的量子效率1.93 %。任意窗口尺寸且d為的RCLED相對於和有較大的光輸出功率。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	共振腔發光二極體	zh_TW
dc.subject	抽取效率	zh_TW
dc.subject	窗口	zh_TW
dc.subject	遠場強度分佈	zh_TW
dc.subject	外部量子效率	zh_TW
dc.subject	Resonant Cavity Light Emitting Diodes	en_US
dc.subject	extraction efficiency	en_US
dc.subject	aperture	en_US
dc.subject	far-field	en_US
dc.subject	external quantum efficiency	en_US
dc.title	共振腔發光二極體的製作與特性量測	zh_TW
dc.title	Fabrication and Characterization of Resonant Cavity Light Emitting Diodes	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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