标题: 浅沟槽隔离制程的缺陷研究
A Study on Defect of Sallow Trench Isolation Process
作者: 林美慧
陈家富
工学院半导体材料与制程设备学程
关键字: 浅沟槽隔离;气泡缺陷;热膨胀系数;Shallow Trench Isolation;Bubble Defect;Coefficient of Thermal Expansion
公开日期: 2006
摘要: 积体电路技术的缩小化,是为了加强电路之元件积成密度与功能性,改善速度切换与元件消耗功率,其中以其通道长度与闸极氧化层的缩小化最为显着。而通道的隔离技术以浅沟槽隔离制程取代传统LOCOS方式,以满足高积成密度的要求。本论文主要是研究因浅沟槽隔离制程所衍生出来的气泡缺陷,及运用两种方法改善此气泡缺陷,进而改善晶圆厂内电性品质及良率。
第一种方法是改良浅沟槽隔离高密度电浆氧化层沉积程式,减缓预热时间与主沉积时间的温度差,降低其预热到主沉积前之间的热膨胀系数的差异,第二种方法是在浅沟槽隔离内垫热氧化层步骤多加一N2现场退火的步骤,利用高温先将内壁热氧化矽层表层压应力的残留气体或水气先释放出来,再用N2让表面氮化,增加与后层浅沟槽隔离高密度电浆氧化层的附着力,但对需用到磊晶制程晶片的产品,若用第二种方法则需考量热预算对电性的影响程度有多大,避免自动掺入的问题产生。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009475515
http://hdl.handle.net/11536/82672
显示于类别:Thesis


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