利用晶圓接合增加氮化鎵族發光二極體亮度—金錫薄膜與金錫合金為接合介質的比較

Abstract

氮化鎵族發光二極體(InGaN/GaN light-emitting diode)利用矽作為基板除了具有良好的散熱效果外，並可讓元件做成垂直型的結構、增加發光面積、使電性和發光效率都有明顯的助益。由於傳統藍寶石基板與矽之間的熱膨脹係數差異過大，為了降低接合過程產生的熱應力，如何能夠在低溫下進行發光二極體結構的轉移變成一個很重要的課題。本研究以金/錫作為中間介質層，在280~400oC的低溫下利用晶圓接合以及雷射剝離技術將氮化鎵薄膜轉移至矽基上。 在實驗中我們分別探討晶圓接合、電性、反射率、及元件製作四個部份。以雷射剝離後薄膜轉移至矽基板面積的大小，評估晶圓接合的好壞；利用不同P型氮化鎵歐姆接觸金屬之選擇及熱處理溫度的改變，使電阻及反射率最佳化，進而製作出垂直式薄型氮化鎵發光二極體。