統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| GaN growth on Si(111) using simultaneous AlN/alpha-Si(3)N(4) buffer structure | 113 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN growth on Si(111) using simultaneous AlN/alpha-Si(3)N(4) buffer structure | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 7 |
| 俄羅斯聯邦 | 3 |
| 加拿大 | 2 |
| 法國 | 2 |
| 澳大利亞 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 4 |
| Saint Petersburg | 3 |
| Ottawa | 2 |
| Paris | 2 |
| Edmond | 1 |
| Kensington | 1 |
| Nanning | 1 |