顯示器用氧化鋅薄膜電晶體研發(II)

Abstract

近年來平面顯示器朝向大面積方向快速發展，以非晶態或多晶態矽材料作成主動 式驅動電路的成本也隨顯示器面積增大而增加。為了簡化製程及免除昂貴的真空設 備，以化學溶液法搭配後續之噴墨印刷技術或微接觸印刷技術是目前最被期待的新技 術。此新技術可在大氣環境下採用氧化物半導體材料製作薄膜電晶體。在不久將來可 為顯示器驅動電路技術帶來新的突破。氧化物半導體可用於薄膜電晶體者以氧化鋅薄 膜最有潛力。近年來國際間研究多有報導。 本計畫為期兩年（95/8-97/7）第一年（95/8-96/7）主要工作是系統的嘗試各類陽離 子摻雜在氧化鋅薄膜中，製作成薄膜電晶體。期能得到開關比可達106.本實驗室過去 兩年已經投入此領域，以化學溶液法完成了低溫下製作Zn(1-X)MgXO 及Zn(1-X)ZrXO 薄 膜電晶體初步研究，開關比可達目標，成果良好,已予發表。第二年（96/8-97/7）將以 第一年的成果為基礎進行摻雜氧化鋅薄膜，改進源極、汲極的電極材質，並採用高介 電薄膜材質作為在閘極底部絕緣層，以達到良好的ID-VD 特性並能夠提高遷移率。