砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(III)

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳振芳	en_US
dc.contributor.author	CHEN JENN-FANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:28:49Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:28:49Z	-
dc.date.issued	2007	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC96-2112-M009-004	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/88660	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1417984&docId=252873	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	砷化銦自聚式量子點內應力鬆弛效應與材料交互混合產生的電性缺陷的影響(III)	zh_TW
dc.title	Effects of Strain Relaxation and Material Intermixing on the Production of Electrically Active Defects in Inas Self-Assembled Quamtum Dots(III)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系(所)	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。