深層能階的載子補捉對於光學引發砷化銦量子點內電荷儲存之影響

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳振芳	en_US
dc.contributor.author	CHEN JENN-FANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:05Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:05Z	-
dc.date.issued	2014	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST103-2112-M009-006	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/88871	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8359218&docId=448014	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	深層能階的載子補捉對於光學引發砷化銦量子點內電荷儲存之影響	zh_TW
dc.title	Effects of Dynamic Trapping and Detrapping of Deep Levels on the Optically Induced Charge Storage in Inas Quantum Dots (Qds)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系（所）	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫