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dc.contributor.author王興宗en_US
dc.contributor.authorWANG SHING CHUNGen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:29:10Z-
dc.date.available2014-12-13T10:29:10Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.govdocNSC96-2221-E009-093-MY3zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/88949-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1462546&docId=262044en_US
dc.description.abstract非極性氮化鎵半導體由於在成長方向上不具內建電場,因此在能帶結構上具平帶特 性可使電子、電洞波函數在空間中重合比率高,因此在理論上發光效率可以比傳統具極 性之發光元件還來得高,故在利用其製作高效率發光元件上極具潛力。此外由於非極性 三五氮化物具相當強的偏振光特性,故在光性應用上十分廣泛。本計畫主要目的為成長 高品質的非極性相關材料及元件。利用有機金屬氣相沈積系統成長非極性發光二極體並 以降低縲旋差排及疊差密度為首要目標,主要利用之技術如利用磊晶側向成長技術、同 步成長氮化矽奈米結構層於磊晶層、調整適當之磊晶參數,以增加元件之發光性能,並 製作出偏光效率良好之元件。另外在製程方面,計劃運用了基板圖案化及表面粗化之技 術來提升元件之光萃取效率。再者,結合元件特性模擬及結構設計,我們可以運用DBR 結構於非極性面射型雷射之共振腔結構中,進而量測、分析非極性面射型雷射之高效能 元件及物理特性。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title成長於非極化氮化鎵之寬能隙材料及光電元件研究---子計畫一:非極性氮化鎵半導體材料元件磊晶成長zh_TW
dc.titleEpitaxy Growth of Non-Polar GaN Materials and Devicesen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學光電工程學系(所)zh_TW
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