标题: 以奈米粒子与量子点为电荷存取中心之矽奈米线快闪记忆元件研究(I)
Silicon Nanowire Flash Memory with Nanoparticles and Quantom Dots as Charge Storage Centers()
作者: 许钲宗
SHEU JENG TZONG
国立交通大学奈米科技研究所
关键字: 扫描式探针显微镜;非等向性湿式蚀刻;绝缘矽;矽奈米线;矽奈米线快闪记忆元件;穿隧现象
公开日期: 2007
摘要: 非挥发性记忆(nonvolatile memory)元件主要必须符合高可靠度(reliability)、低功率消耗(power consumption)、与低工作电压(working voltage)等等特性。由于元件尺寸快速scaling down,即使以分散电荷储存的SONOS结构也面对了两个彼此trade-off问题: 较长记忆储存时间与更高存取速率。本研究拟利用扫瞄式探针显微镜微影技术与自组装(self-assembly)沉积技术在(100)绝缘矽(SOI)矽晶基材上研制矽奈线快闪记忆元件。奈米线快闪记忆元件的主结构是用扫瞄式探针显微镜将矽转换成奈米级矽氧化物,以此矽氧化物做为蚀刻罩幕(Mask)进行非等向性湿式蚀刻后产生矽奈米线为基础。另外、利用自组装沉积AEAPTMS或MPTMS单层分子膜于二氧化矽上,可以将奈米金粒子或是半导体量子点(CdSe等)选择性沉积在分子层上。结合上述两个技术,便可以研制以奈米金粒子或是半导体量子点为电荷储存中心的奈米快闪元件。于不同温度(4.2K~450K) 时,观察矽奈米线快闪记忆元件的存取稳定性、电流/电压特性、不同program/erase的穿隧现象如channel hot electrons或Folwer-Nordheim等等。另外、经由沉积多种奈米金粒子或是半导体量子点,来达成多阶电荷储存(Multiple-level charge storage)或多位元(multiple-bit)的元件也一并加以研制探讨。最后、本研究将于第三年将研制单个(或数个) 奈米金粒子或是半导体量子点做为悬浮闸的矽奈米线快闪记忆元件,并建立相关理论模型。
官方说明文件#: NSC96-2221-E009-213
URI: http://hdl.handle.net/11536/88993
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1461953&docId=261901
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