標題: 具有奈米級微結構表面之高亮度垂直式氮化鎵發光二極體元件製作(II)-總計畫暨子計畫一:利用磊晶結構優化改善高功率發光二極體的效率下降(II)
Improvement of Efficiency Droop in High Power Light-emitting Diodes by Optimization of Epitaxial Structure (II)
作者: 張俊彥
CHANG CHUN-YEN
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字: 氮化鎵;發光二極體;效率驟降;化學性濕蝕刻剝離法;GaN;LED;Droop;Chemical Lift-off
公開日期: 2013
官方說明文件#: NSC102-2623-E009-004-ET
URI: http://hdl.handle.net/11536/89422
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2858475&docId=405804
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