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dc.contributor.author趙書琦en_US
dc.contributor.authorChao Shuchien_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:29:41Z-
dc.date.available2014-12-13T10:29:41Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.govdocNSC95-2221-E009-307zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/89526-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309635&docId=242021en_US
dc.description.abstract實驗發現,基於WO3-IrO2 薄膜結構的二極體,可以在未外加電解質的環境 下正常工作,其整流特性和有電解質的元件比較,並不遜色。最近,實驗進一步 發現,在低溫環境中(至-150oC)將微量NH3 氣體(~82 ppm)注入背景空氣 中,該元件在正、反向偏壓下皆會有「低溫氣敏電性反應」產生,電流會呈現大 幅度的變動。當IrO2 側被絕緣epoxy 覆蓋後,這種「氣敏電性反應」也會照常的 發生,可見主要是WO3 之作用。首先,本計畫為符合當下「金屬氧化物」感測元 件研究水準,擬以「反應性氣體沈積法」(reactive gas deposition),對WO3 薄 膜進行奈米結晶化研究,並製作nc-WO3-IrO2 二極體(nc = nano-crystalline), 以提昇其低溫NH3 氣體感度(至1 ppm 程度)和達到強化其他性能的目地。另 外,本計畫擬以系統性更動製程的方式(鍍膜時間、反應性氣體沈積條件等), 觀察nc-WO3 之厚度、結構、顆粒大小等變動,會與低溫NH3「氣敏反應」產生 何種關連性,並據以強化nc-WO3-IrO2 薄膜的氣體感度(gas sensitivity)。另 外,本計畫擬製作一批「最佳化」nc-WO3-IrO2 低溫NH3「氣敏二極體」,研究 其IV 電性, 包括氣體感度( gas sensitivity) 、操作溫度區間( operating temperature)、濃度嚮應(dynamic range)、反應速度(switching time)、選擇 性( selectivity) 、電雜訊特性( noise)、可逆性( reversibility) 、再現性 (reproducibility)、可靠性(reliability)、耐用性(durability)、和耗電性 (power consumption)等IV 特性。zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject低溫zh_TW
dc.subject反應性氣體沈積法zh_TW
dc.subject奈米結晶zh_TW
dc.subject氣敏二極體zh_TW
dc.subject氣體感度zh_TW
dc.subjectWO3zh_TW
dc.subjectIrO2zh_TW
dc.subjectNH3zh_TW
dc.title奈米WO3二極體之NH3冷媒感測研究zh_TW
dc.titleGas Sensitive Diodes for NH/sub 3/ Refrigerant Based on Nano-Crystalline WO/sub 3/en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子物理系zh_TW
顯示於類別:研究計畫