砷化鎵晶片高溫接合中介面空孔之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳耀銓	en_US
dc.contributor.author	YEWCHUNG SERMONWU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:43Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:43Z	-
dc.date.issued	2000	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC89-2215-E009-075	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/89575	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=574873&docId=107450	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	砷化鎵晶片高溫接合中介面空孔之研究	zh_TW
dc.title	High-Temperature Healing of Interfacial Voids in GaAs Wafer Bonding	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學材料科學與工程學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫